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入园企业 | 澜起科技荣获上海市技术发明一等奖

2019-05-27 10:05:39

近日,上海市2018年度科学技术奖励大会隆重召开,上海市委书记李强出席会议并作重要讲话,市委副书记、市长应勇主持会议。会上,副市长吴清宣读了《上海市人民政府关于表彰2018年度上海市科学技术奖获奖项目(个人)的决定》,共授奖300项。


澜起科技作为独立完成单位,其“高性能DDR内存缓冲控制器芯片设计技术”荣获上海市技术发明奖一等奖。本年度技术发明奖共评选出30项,其中一等奖9项,该奖项旨在“对标国际最高标准、最好水平,瞄准全球技术新发明”,在关键领域重大课题方面选拔和鼓励一批优秀的创新成果,表彰其在基础研究和发明创造、科技创新等方面作出的突出贡献。


在该获奖研发项目中,杨崇和博士带领研发团队攻克了内存接口技术瓶颈,通过系统架构设计、高速电路设计、低功耗设计等基于自主知识产权的技术发明,为CPU与内存间的数据交换搭建了一条“高速公路”,提高了内存数据读写带宽,改善了服务器性能,为全球高端服务器内存接口领域做出突出贡献。


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上海市技术发明奖一等奖获奖证书


由该团队发明的“1+9”分布式缓冲内存子系统框架,突破了DDR2DDR3的集中式架构设计,创新地采用1颗寄存缓冲控制器芯片为核心、9颗数据缓冲器芯片的分布结构布局,大幅减少了CPUDRAM颗粒间的负载,降低了信号传输损耗,解决了内存子系统大容量与高速度之间的矛盾。“1+9”架构已被JEDEC采纳为国际标准,成为DDR4LRDIMM的标准设计,在全球各大数据中心得到广泛应用,凸显了公司的技术水平及创新能力,也提升了我国在内存接口领域的国际话语权。该项目共获得发明专利40项,其中国外发明专利23项、中国国内发明专利17项。


澜起科技从成立至今,十五年来一直从事内存接口芯片的设计研发,先后推出了DDR2高级内存缓冲器、DDR3寄存缓冲器及内存缓冲器、DDR4寄存时钟驱动器及数据缓冲器等一系列内存接口芯片。凭借长期的技术积累和持续的研发创新,公司DDR4时代确立了行业领先优势,成为全球可提供从DDR2DDR4内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一,上述DDR系列内存接口芯片已成功进入国际主流内存、服务器和云计算领域,并占据全球市场的主要份额。


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DDR4全缓冲“1+9”架构被JEDEC(全球微电子产业的领导标准机构)采纳为国际标准


未来,公司将继续专注于集成电路设计领域的科技创新,围绕云计算及人工智能领域,不断满足客户对高性能芯片的需求,在持续积累中实现企业的跨越式发展,为我国集成电路产业发展做出贡献。